GMM78256S-10,GMM78256S-10 pdf中文资料,GMM78256S-10引脚图,GMM78256S-10电路-Datasheet-电子工程世界

GMM78256S-10: 产品描述Fast Page DRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PSMA30,; 产品类别存储存储; 文件大小191KB，共4页; 制造商LG Semicon Co Ltd

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GMM78256S-10概述

Fast Page DRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PSMA30,

GMM78256S-10规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N30
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	8
端子数量	30
字数	262144 words
字数代码	256000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM
封装等效代码	SIM30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	16.51 mm
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE

GMM78256S-10相似产品对比

	GMM78256S-10	GMM78256S-60	GMM78256S-80	GMM78256S-70
描述	Fast Page DRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PSMA30,	Fast Page DRAM Module, 256KX8, 60ns, CMOS, PSMA30,	Fast Page DRAM Module, 256KX8, 80ns, CMOS, PSMA30,	Fast Page DRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, PSMA30,
厂商名称	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	100 ns	60 ns	80 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N30	R-PSMA-N30	R-PSMA-N30	R-PSMA-N30
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8
端子数量	30	30	30	30
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SIM30	SIM30	SIM30	SIM30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512
座面最大高度	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.12 mA	0.18 mA	0.14 mA	0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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