IC 1-CH 14-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28, Analog to Digital Converter
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最大模拟输入电压 | 5 V |
| 最小模拟输入电压 | -5 V |
| 最长转换时间 | 6.3 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.0122% |
| 标称负供电电压 | -12 V |
| 模拟输入通道数量 | 1 |
| 位数 | 14 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出位码 | BINARY, 2\'S COMPLEMENT BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, WORD |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 采样速率 | 0.128 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | SAMPLE |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 最大压摆率 | 34 mA |
| 标称供电电压 | 12 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| AD779TD/883B | AD779SD/883B | AD779JNZ | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC 1-CH 14-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28, Analog to Digital Converter | IC 1-CH 14-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28, Analog to Digital Converter | 14-Bit 128 kSPS Complete Sampling ADC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 | DIP, |
| 针数 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | EAR99 |
| 最大模拟输入电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 最小模拟输入电压 | -5 V | -5 V | -5 V |
| 最长转换时间 | 6.3 µs | 6.3 µs | 6.3 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 | R-CDIP-T28 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e3 |
| 标称负供电电压 | -12 V | -12 V | -12 V |
| 模拟输入通道数量 | 1 | 1 | 1 |
| 位数 | 14 | 14 | 14 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 70 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - |
| 输出位码 | BINARY, 2\'S COMPLEMENT BINARY | BINARY, 2\'S COMPLEMENT BINARY | BINARY, 2\'S COMPLEMENT BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, WORD | PARALLEL, WORD | PARALLEL, WORD |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT APPLICABLE |
| 采样速率 | 0.128 MHz | 0.128 MHz | 0.128 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | SAMPLE | SAMPLE | SAMPLE |
| 座面最大高度 | 5.72 mm | 5.72 mm | 5.08 mm |
| 标称供电电压 | 12 V | 12 V | 12 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | BICMOS | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT APPLICABLE |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 最大压摆率 | 34 mA | 34 mA | - |
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