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HM6207HP-25

产品描述Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
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文件大小110KB,共11页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM6207HP-25概述

Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

HM6207HP-25规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP24,.3
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T24
长度29.88 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端子数量24
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

HM6207HP-25相似产品对比

HM6207HP-25 HM6207HJP-45 HM6207HLJP-45 HM6207HLP-25 HM6207HJP-35 HM6207HLJP-25
描述 Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIP SOJ SOJ DIP SOJ SOJ
包装说明 DIP, DIP24,.3 SOJ, SOJ24,.34 SOJ, SOJ24,.34 DIP, DIP24,.3 SOJ, SOJ24,.34 SOJ, SOJ24,.34
针数 24 24 24 24 24 24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 25 ns 45 ns 45 ns 25 ns 35 ns 25 ns
其他特性 TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDIP-T24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24
长度 29.88 mm 15.63 mm 15.63 mm 29.88 mm 15.63 mm 15.63 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX1 256KX1 256KX1 256KX1 256KX1 256KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ SOJ DIP SOJ SOJ
封装等效代码 DIP24,.3 SOJ24,.34 SOJ24,.34 DIP24,.3 SOJ24,.34 SOJ24,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 3.76 mm 3.76 mm 5.08 mm 3.76 mm 3.76 mm
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.0001 A 0.0001 A 0.002 A 0.0001 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 2 V 2 V 4.5 V 2 V
最大压摆率 0.12 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.12 mA 0.1 mA 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE J BEND J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm

 
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