EDI488MEV7MM,EDI488MEV7MM pdf中文资料,EDI488MEV7MM引脚图,EDI488MEV7MM电路-Datasheet-电子工程世界

EDI488MEV7MM: 产品描述EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOJ-32; 产品类别存储存储; 文件大小443KB，共12页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI488MEV7MM概述

EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOJ-32

EDI488MEV7MM规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
包装说明	PLASTIC, SOJ-32
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL

EDI488MEV7MM相似产品对比

	EDI488MEV7MM	EDI488MEV7SI	EDI488MEV6SI	EDI488MEV7MI	EDI488MEV7SM	EDI488MEV6SM	EDI488MEV6MI	EDI488MEV6MM
描述	EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOJ-32	EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32	EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32	EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOJ-32	EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32	EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32	EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOJ-32	EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOJ-32
包装说明	PLASTIC, SOJ-32	PLASTIC, TSOP2-32	PLASTIC, TSOP2-32	PLASTIC, SOJ-32	PLASTIC, TSOP2-32	PLASTIC, TSOP2-32	PLASTIC, SOJ-32	PLASTIC, SOJ-32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns	70 ns	60 ns	70 ns	70 ns	60 ns	60 ns	60 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C	125 °C	125 °C	85 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C	-55 °C	-40 °C	-55 °C
组织	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	MILITARY	MILITARY	INDUSTRIAL	MILITARY
端子形式	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	-	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]

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