Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRGBC30K-STRR

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IRGBC30K-STRR: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小194KB，共6页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRGBC30K-STRR概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN

IRGBC30K-STRR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	23 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	100 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	170 ns
标称接通时间 (ton)	30 ns
VCEsat-Max	3.8 V

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IRGBC30K-STRR相似产品对比

	IRGBC30K-STRR	IRGBC30K-STRRPBF	IRGBC30K-STRLPBF	IRGBC30K-STRL
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	SHORT CIRCUIT RATED	SHORT CIRCUIT RATED	SHORT CIRCUIT RATED	SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	23 A	23 A	23 A	23 A
集电极-发射极最大电压	600 V	600 V	600 V	600 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	100 W	100 W	100 W	100 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	40	NOT SPECIFIED
晶体管应用	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	170 ns	170 ns	170 ns	170 ns
标称接通时间 (ton)	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns
VCEsat-Max	3.8 V	3.8 V	3.8 V	3.8 V
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）

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