EDI8M4258P70C4B,EDI8M4258P70C4B pdf中文资料,EDI8M4258P70C4B引脚图,EDI8M4258P70C4B电路-Datasheet-电子工程世界

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EDI8M4258P70C4B: 产品描述SRAM Module, 256KX4, 70ns, CMOS, CDIP32,; 产品类别存储存储; 文件大小230KB，共8页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI8M4258P70C4B概述

SRAM Module, 256KX4, 70ns, CMOS, CDIP32,

EDI8M4258P70C4B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T32
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	4
端子数量	32
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流	0.002 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.48 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

EDI8M4258P70C4B相似产品对比

	EDI8M4258P70C4B	EDI8M4258C45C4B	EDI8M4258P45C4B	EDI8M4258C55C4B	EDI8M4258P55C4B	EDI8M4258C35C4B	EDI8M4258P35C4B	EDI8M4258C70C4B
描述	SRAM Module, 256KX4, 70ns, CMOS, CDIP32,	SRAM Module, 256KX4, 45ns, CMOS, CDIP32,	SRAM Module, 256KX4, 45ns, CMOS, CDIP32,	SRAM Module, 256KX4, 55ns, CMOS, CDIP32,	SRAM Module, 256KX4, 55ns, CMOS, CDIP32,	SRAM Module, 256KX4, 35ns, CMOS, CDIP32,	SRAM Module, 256KX4, 35ns, CMOS, CDIP32,	SRAM Module, 256KX4, 70ns, CMOS, CDIP32,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	70 ns	45 ns	45 ns	55 ns	55 ns	35 ns	35 ns	70 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流	0.002 A	0.04 A	0.002 A	0.04 A	0.002 A	0.04 A	0.002 A	0.04 A
最小待机电流	2 V	4.5 V	2 V	4.5 V	2 V	4.5 V	2 V	4.5 V
最大压摆率	0.48 mA	0.48 mA	0.48 mA	0.48 mA	0.48 mA	0.48 mA	0.48 mA	0.48 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	-	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]

EDI8M4258P70C4B

EDI8M4258P70C4B概述

EDI8M4258P70C4B规格参数

EDI8M4258P70C4B相似产品对比

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