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MBM10A474-3CZ

产品描述1KX4 STANDARD SRAM, 3ns, CDIP24, CERDIP-24
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文件大小146KB,共8页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MBM10A474-3CZ概述

1KX4 STANDARD SRAM, 3ns, CDIP24, CERDIP-24

MBM10A474-3CZ规格参数

参数名称属性值
厂商名称FUJITSU(富士通)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间3 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T24
长度30.3 mm
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
负电源额定电压-5.2 V
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织1KX4
输出特性OPEN-EMITTER
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.84 mm
表面贴装NO
技术TTL
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

MBM10A474-3CZ相似产品对比

MBM10A474-3CZ MBM10A474-3TV MBM10A474-3ZF
描述 1KX4 STANDARD SRAM, 3ns, CDIP24, CERDIP-24 Standard SRAM, 1KX4, 3ns, CQCC24 Standard SRAM, 1KX4, 3ns, CQFP24
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
零件包装代码 DIP LCC QFP
包装说明 DIP, QCCN, LCC24,.4SQ QFF, QFL24,.4SQ
针数 24 24 24
Reach Compliance Code unknown compliant compliant
最长访问时间 3 ns 3 ns 3 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T24 S-XQCC-N24 S-XQFP-F24
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4
负电源额定电压 -5.2 V -5.2 V -5.2 V
端子数量 24 24 24
字数 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C 55 °C 55 °C
组织 1KX4 1KX4 1KX4
输出特性 OPEN-EMITTER OPEN-EMITTER OPEN-EMITTER
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP QCCN QFF
封装形状 RECTANGULAR SQUARE SQUARE
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
I/O 类型 - SEPARATE SEPARATE
JESD-609代码 - e0 e0
封装等效代码 - LCC24,.4SQ QFL24,.4SQ
电源 - -5.2 V -5.2 V
最大压摆率 - 0.33 mA 0.33 mA
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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