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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> W9412G2CB-5H
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W9412G2CB-5H

产品描述DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144
产品类别存储    存储   
文件大小2MB，共49页
制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
标准
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W9412G2CB-5H概述

DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144

W9412G2CB-5H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Winbond(华邦电子)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA144,12X12,32
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B144
长度12 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA144,12X12,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.4 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.03 A
最大压摆率0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度12 mm

W9412G2CB-5H相似产品对比

W9412G2CB-5H W9412G2CB-5 W9412G2CB-6 W9412G2CB-75
描述 DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144 DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144 DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144 DDR DRAM, 4MX32, 0.75ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 LFBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32 LFBGA, BGA144,12X12,32
针数 144 144 144 144
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.6 ns 0.6 ns 0.6 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz 200 MHz 166 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144
长度 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA
封装等效代码 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32 BGA144,12X12,32
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
自我刷新 YES YES YES YES
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
最大压摆率 0.32 mA 0.32 mA 0.3 mA 0.28 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm

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