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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MR1130
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MR1130

产品描述12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小151KB，共3页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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MR1130概述

12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4

MR1130规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Digitron
Reach Compliance Codeunknow
最小击穿电压1000 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-4
JESD-30 代码O-MUPM-D1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度190 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流12 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流500 µA
反向测试电压1000 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

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DIGITRON SEMICONDUCTORS
MR1120-MR1126, MR1128, MR1130
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak repetitive reverse voltage
Working peak reverse voltage
DC blocking voltage
Non-repetitive peak reverse voltage
(½ wave, single phase, 60 cycle peak)
RMS reverse voltage
Average rectified forward current
(Rated V
R
)
Peak repetitive forward current
Non-repetitive peak surge current
(superimposed on rated current at rated voltage, T
C
= 150°C)
I
2
t rating
(non repetitive, 1ms < t < 8.3ms)
Operating and storage junction temperature range
Maximum thermal resistance
Junction to case
Symbol
1120
1121
1122
1123
12A STANDARD RECOVERY RECTIFIER
MR
1124
1125
1126
1128
1130
Unit
V
RRM
V
RWM
V
R
V
RSM
V
R(RMS)
I
O
I
FRM
I
FSM
I
2
t
T
J,
T
stg
R
ӨJC
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
V
100
200
300
400
500
600
720
1000
1200
V
V
A
A
A
A
(rms)2
S
35
70
140
210
280
350
420
560
700
12 @ T
C
= 150°C
75 @ T
C
= 150°C
300 for ½ cycle
375
-65 to +190
2.5
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Full cycle average forward voltage drop
(I
O
= 12A and rated V
R
, T
C
= 150°C, half wave)
DC forward voltage drop
(I
F
= 12Adc, T
C
= 25°C)
Full cycle average reverse current
(I
O
= 12A and rated V
R
, T
C
= 150°C, half wave)
DC reverse current
(Rated V
R
, T
C
= 25°C)
Note 1: Pulse test: Pulse width = 300µs, duty cycle = 2.0%.
Symbol
V
F(AV)
V
F
I
R(AV)
I
R
MR
1120
1121
1122
1123
1124
1125
1126
1128
1130
Unit
V
V
mA
mA
0.55
1.0
1.5
0.5
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case
Marking
Normal polarity
Reverse polarity
DO-4(R)
Alpha-numeric
Cathode is stud
Anode is stud (add “R” suffix)
DO-4(R)
Inches
Min
Max
-
0.078
0.422 0.453
-
0.405
-
0.800
0.420 0.440
-
0.250
-
0.424
0.066
-
Millimeters
Min
Max
-
1.981
10.719 11.506
-
10.287
-
20.320
10.668 11.176
-
6.350
-
10.770
1.676
-
A
B
C
D
E
F
G
H
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121128

MR1130相似产品对比

MR1130 MR1120 MR1121 MR1122 MR1123 MR1124 MR1125 MR1126 MR1128
描述 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 12 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 12 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 12 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 12 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最小击穿电压 1000 V 50 V 100 V 200 V 300 V 400 V 500 V 600 V 800 V
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
JEDEC-95代码 DO-4 DO-4 DO-4 DO-4 DO-4 DO-4 DO-4 DO-4 DO-4
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 190 °C 190 °C 190 °C 190 °C 190 °C 190 °C 190 °C 190 °C 190 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 1000 V 50 V 100 V 200 V 300 V 400 V 500 V 600 V 800 V
最大反向电流 500 µA 500 µA 500 µA 500 µA 500 µA 500 µA 500 µA 500 µA 500 µA
反向测试电压 1000 V 50 V 100 V 200 V 300 V 400 V 500 V 600 V 800 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
厂商名称 Digitron Digitron Digitron Digitron Digitron - Digitron Digitron Digitron

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