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MR1121: 产品描述12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小151KB，共3页; 制造商Digitron; 官网地址http://www.digitroncorp.com

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MR1121概述

12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4

MR1121规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Digitron
Reach Compliance Code	unknow
最小击穿电压	100 V
外壳连接	CATHODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JEDEC-95代码	DO-4
JESD-30 代码	O-MUPM-D1
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	300 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	1
最高工作温度	190 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	12 A
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	500 µA
反向测试电压	100 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER

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DIGITRON SEMICONDUCTORS

MR1120-MR1126, MR1128, MR1130

MAXIMUM RATINGS

Rating

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

(½ wave, single phase, 60 cycle peak)

RMS reverse voltage

Average rectified forward current

(Rated V

)

Peak repetitive forward current

Non-repetitive peak surge current

(superimposed on rated current at rated voltage, T

= 150°C)

t rating

(non repetitive, 1ms < t < 8.3ms)

Operating and storage junction temperature range

Maximum thermal resistance

Junction to case

Symbol

1120

1121

1122

1123

12A STANDARD RECOVERY RECTIFIER

1124

1125

1126

1128

1130

Unit

RRM

RWM

RSM

R(RMS)

FRM

FSM

stg

ӨJC

100

200

300

400

500

600

800

1000

100

200

300

400

500

600

720

1000

1200

(rms)2

140

210

280

350

420

560

700

12 @ T

= 150°C

75 @ T

= 150°C

300 for ½ cycle

375

-65 to +190

2.5

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Full cycle average forward voltage drop

= 12A and rated V

, T

= 150°C, half wave)

DC forward voltage drop

= 12Adc, T

= 25°C)

Full cycle average reverse current

= 12A and rated V

, T

= 150°C, half wave)

DC reverse current

(Rated V

, T

= 25°C)

Note 1: Pulse test: Pulse width = 300µs, duty cycle = 2.0%.

Symbol

F(AV)

R(AV)

1120

1121

1122

1123

1124

1125

1126

1128

1130

Unit

0.55

1.0

1.5

0.5

MECHANICAL CHARACTERISTICS

Case

Marking

Normal polarity

Reverse polarity

DO-4(R)

Alpha-numeric

Cathode is stud

Anode is stud (add “R” suffix)

DO-4(R)

Inches

Min

Max

0.078

0.422 0.453

0.405

0.800

0.420 0.440

0.250

0.424

0.066

Millimeters

Min

Max

1.981

10.719 11.506

10.287

20.320

10.668 11.176

6.350

10.770

1.676

144 Market Street

Kenilworth NJ 07033 USA

phone +1.908.245-7200

fax +1.908.245-0555

sales@digitroncorp.com

www.digitroncorp.com

Rev. 20121128

MR1121相似产品对比

	MR1121	MR1120	MR1122	MR1123	MR1124	MR1125	MR1126	MR1128	MR1130
描述	12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4	12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4	12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4	12 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4	12 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4	12 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4	12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4	12 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4	12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
最小击穿电压	100 V	50 V	200 V	300 V	400 V	500 V	600 V	800 V	1000 V
外壳连接	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
JEDEC-95代码	DO-4	DO-4	DO-4	DO-4	DO-4	DO-4	DO-4	DO-4	DO-4
JESD-30 代码	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
最高工作温度	190 °C	190 °C	190 °C	190 °C	190 °C	190 °C	190 °C	190 °C	190 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	200 V	300 V	400 V	500 V	600 V	800 V	1000 V
最大反向电流	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA	500 µA
反向测试电压	100 V	50 V	200 V	300 V	400 V	500 V	600 V	800 V	1000 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
厂商名称	Digitron	Digitron	Digitron	Digitron	-	Digitron	Digitron	Digitron	Digitron

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