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1N26BR

产品描述Mixer Diode, K Band, 600ohm Z(V) Max, 11dB Noise Figure, Silicon, DO-37, HERMETIC SEALED, DO-37, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小257KB,共4页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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1N26BR概述

Mixer Diode, K Band, 600ohm Z(V) Max, 11dB Noise Figure, Silicon, DO-37, HERMETIC SEALED, DO-37, 2 PIN

1N26BR规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-37
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性MATCHED PAIR
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带K BAND
最大阻抗600 Ω
最小阻抗400 Ω
JEDEC-95代码DO-37
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大噪声指数11 dB
元件数量1
端子数量2
最大工作频率26 GHz
最小工作频率18 GHz
最高工作温度150 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术POINT CONTACT
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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