DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM184 |
| 针数 | 184 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.75 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 184 |
| 字数 | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM184 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 自我刷新 | YES |
| 最大压摆率 | 3.24 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| M368L3313CT1-CB0 | M368L3313CT1-CB3 | M368L3313CT1-CA2 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 | DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM184 | DIMM, DIMM184 | DIMM, DIMM184 |
| 针数 | 184 | 184 | 184 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.75 ns | 0.7 ns | 0.75 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 166 MHz | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 |
| 内存密度 | 2147483648 bit | 2147483648 bit | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 | 64 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 184 | 184 | 184 |
| 字数 | 33554432 words | 33554432 words | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 | 32000000 | 32000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32MX64 | 32MX64 | 32MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM184 | DIMM184 | DIMM184 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 225 |
| 电源 | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | 4096 | 4096 |
| 自我刷新 | YES | YES | YES |
| 最大压摆率 | 3.24 mA | 3.64 mA | 3.24 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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