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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CMPD2005SGTR
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CMPD2005SGTR

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小114KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPD2005SGTR概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMPD2005SGTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.87 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.225 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.35 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压350 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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CMPD2005S
CMPD2005SG
SURFACE MOUNT
DUAL, IN SERIES
HIGH VOLTAGE
SILICON SWITCHING DIODES
Central
TM
Semiconductor Corp.
Description:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD2005S and
CMPD2005SG each contain two (2) High Voltage
Silicon Switching Diodes, manufactured by the epitaxial
planar process, epoxy molded in a SOT-23 surface
mount package, designed for applications requiring high
voltage capability.
•
The CMPD2005SG is
Halogen Free
by design.
MARKING CODES:
CMPDM2005S: DB5
CMPDM2005SG: 5SG
SYMBOL
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
300
350
200
225
625
4.0
1.0
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25 °C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Current
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Forward Surge Current, tp=1 μs
Forward Surge Current, tp=1s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
TEST CONDITIONS
VR=280V
VR=280V, TA=150°C
IR=100μA
IF=20mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=0, f=1.0 MHz
IR=IF=30mA, Rec. to 3.0mA, RL=100Ω
350
0.87
1.0
1.25
5.0
50
MIN
MAX
100
100
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
R2 (17-July 2008)

CMPD2005SGTR相似产品对比

CMPD2005SGTR CMPD2005SBK CMPD2005STR CMPD2005SGBK
描述 Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.87 V 0.87 V 0.87 V 0.87 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流 4 A 4 A 4 A 4 A
元件数量 2 2 2 2
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.225 A 0.225 A 0.225 A 0.225 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 350 V 350 V 350 V 350 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -

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