MOS GATED BARRIER RECTIFIER
| MGBR12L45 | MGBR12L45G-T27-R | MGBR12L45L-T27-R | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOS GATED BARRIER RECTIFIER | MOS GATED BARRIER RECTIFIER | MOS GATED BARRIER RECTIFIER |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | - | R-PDSO-F3 | R-PDSO-F3 |
| Reach Compliance Code | - | compli | compli |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 应用 | - | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接 | - | CATHODE | CATHODE |
| 配置 | - | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | - | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | - | 0.6 V | 0.6 V |
| JEDEC-95代码 | - | TO-277 | TO-277 |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-F3 | R-PDSO-F3 |
| 最大非重复峰值正向电流 | - | 180 A | 180 A |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 相数 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | - | -65 °C | -65 °C |
| 最大输出电流 | - | 12 A | 12 A |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | - | 45 V | 45 V |
| 最大反向电流 | - | 300 µA | 300 µA |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 端子形式 | - | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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