HY27UG082G2M-SEB,HY27UG082G2M-SEB pdf中文资料,HY27UG082G2M-SEB引脚图,HY27UG082G2M-SEB电路-Datasheet-电子工程世界

HY27UG082G2M-SEB: 产品描述Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, USOP1-48; 产品类别存储存储; 文件大小430KB，共48页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY27UG082G2M-SEB概述

Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, USOP1-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	SOIC
包装说明	VSSOP, TSSOP48,.71,20
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	30 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0
长度	15.4 mm
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	2K
端子数量	48
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	256MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP
封装等效代码	TSSOP48,.71,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
编程电压	3.3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	0.65 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	12 mm

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