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1N4148-B

产品描述0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小94KB,共2页
制造商ETC2
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1N4148-B概述

0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
1N4148
1N4148 SIGNAL DIODE
Absolute Maximum Ratings (Ta=25
°
C)
Items
Symbol Ratings Unit
Reverse Voltage
VR
75
V
Reverse Recovery
trr
4
ns
Time
Power Dissipation
P
500
mW
3.33mW/
°
C (25
°
C)
Forward Current
IF
150
mA
Junction Temp.
Tj
-65 to 175
°
C
Storage Temp.
Tstg -65 to 175
°
C
Mechanical Data
Items
Package
Case
Lead/Finish
Chip
Materials
DO-35
Hermetically sealed glass
Double stud/Solder Plating
Glass Passivated
26 MIN
Dimensions in millimeters
Dimensions (DO-35
)
DO-35
26 MIN
0.457
DIA.
0.559
4.2
max.
2.0
DIA.
max.
Electrical Characteristics (Ta=25
°
C)
Ratings
Minimum Breakdown Voltage
IR= 5.0uA
IR= 100uA
Peak Forward Surge Current PW= 1sec.
Maximum Forward Voltage
IF= 10mA
Maximum Reverse Current
VR= 20V
VR= 75V
VR= 20V, Tj= 150
°
C
Maximum Junction Capacitance
VR= 0, f= 1 MHz
Maximum Reverse Recovery Time
IF= 10mA, VR= 6V, IRR= 1mA, RL= 100
W
Symbol
BV
Ratings
75
100
2.0
1.0
Unit
V
IFsurge
VF
IR
A
V
uA
0.025
5.0
50
Cj
4
trr
4
ns
pF

1N4148-B相似产品对比

1N4148-B 1N4148 1N4148-F3000 1N4148-T PCSBOX
描述 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
端子数量 - 2 2 2 2
元件数量 - 1 1 1 1
加工封装描述 - HERMETIC SEALED, 玻璃 PACKAGE-2 HERMETIC SEALED, 玻璃 PACKAGE-2 HERMETIC SEALED, 玻璃, MINIMELF-2 HERMETIC SEALED, 玻璃 PACKAGE-2
状态 - TRANSFERRED TRANSFERRED ACTIVE TRANSFERRED
包装形状 -
包装尺寸 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE LONG FORM SMALL OUTLINE
表面贴装 - Yes Yes - Yes
端子形式 - GULL WING GULL WING 线 GULL WING
端子涂层 - 锡 铅 锡 铅 MATTE 锡 锡 铅
端子位置 - AXIAL
包装材料 - 玻璃 玻璃 玻璃 玻璃
结构 - 单一的 单一的 单一的 单一的
壳体连接 - 隔离 隔离 隔离 隔离
二极管元件材料 -
最大功耗极限 - 0.5000 W 0.5000 W 0.5000 W 0.5000 W
二极管类型 - 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管
反向恢复时间最大 - 0.0040 us 0.0040 us 0.0040 us 0.0040 us
最大平均正向电流 - 0.2000 A 0.2000 A 0.1500 A 0.2000 A

 
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