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KM616V1002CF-12

产品描述Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
产品类别存储    存储   
文件大小305KB,共11页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM616V1002CF-12概述

Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

KM616V1002CF-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,30
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度7 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6 mm
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