Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5RS123235BFP-2

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HY5RS123235BFP-2: 产品描述DDR DRAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共67页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HY5RS123235BFP-2概述

DDR DRAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136

HY5RS123235BFP-2规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA136,12X17,32
针数	136
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.35 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	500 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B136
JESD-609代码	e1
长度	14 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	136
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	16MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA136,12X17,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.08 A
最大压摆率	0.655 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.15 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	11 mm

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HY5RS123235BFP

512Mbit (16Mx32) GDDR3 SDRAM

HY5RS123235BFP

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.5/ Mar. 2008

HY5RS123235BFP-2相似产品对比

	HY5RS123235BFP-2	HY5RS123235BFP-11	HY5RS123235BFP-14	HY5RS123235BFP-14L	HY5RS123235BFP-1	HY5RS123235BFP-18L	HY5RS123235BFP-08
描述	DDR DRAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136	DDR DRAM, 16MX32, 0.22ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136	DDR DRAM, 16MX32, 0.26ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PDSO136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136	DDR DRAM, 16MX32, 0.2ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PDSO136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136	DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PDSO136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA136,12X17,32	TFBGA, BGA136,12X17,32	TFBGA, BGA136,12X17,32	TFBGA, BGA136,12X17,32	TFBGA, BGA136,12X17,32	TFBGA, BGA136,12X17,32	TFBGA, BGA136,12X17,32
针数	136	136	136	136	136	136	136
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	500 MHz	900 MHz	700 MHz	700 MHz	1000 MHz	550 MHz	1200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B136	R-PBGA-B136	R-PBGA-B136	R-PDSO-G66	R-PBGA-B136	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	136	136	136	136	136	136	136
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA136,12X17,32	BGA136,12X17,32	BGA136,12X17,32	BGA136,12X17,32	BGA136,12X17,32	BGA136,12X17,32	BGA136,12X17,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.5 V	2 V	1.5 V	2 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.08 A	0.14 A	0.09 A	0.05 A	0.16 A	0.04 A	0.18 A
最大压摆率	0.655 mA	1.18 mA	0.83 mA	0.5 mA	1.3 mA	0.46 mA	1.42 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.15 V	2.15 V	2.15 V	1.545 V	2.15 V	1.545 V	2.15 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.455 V	1.95 V	1.455 V	1.95 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.5 V	2.05 V	1.5 V	2.05 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20
宽度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm
最长访问时间	0.35 ns	0.22 ns	0.26 ns	-	0.2 ns	-	-

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