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HY5RS123235BFP-18L

产品描述DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PDSO136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
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文件大小1MB,共67页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5RS123235BFP-18L概述

DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PDSO136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136

HY5RS123235BFP-18L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA136,12X17,32
针数136
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)550 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e1
长度14 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量136
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织16MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA136,12X17,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.04 A
最大压摆率0.46 mA
最大供电电压 (Vsup)1.545 V
最小供电电压 (Vsup)1.455 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度11 mm

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HY5RS123235BFP
512Mbit (16Mx32) GDDR3 SDRAM
HY5RS123235BFP
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 1.5/ Mar. 2008
1

HY5RS123235BFP-18L相似产品对比

HY5RS123235BFP-18L HY5RS123235BFP-11 HY5RS123235BFP-14 HY5RS123235BFP-14L HY5RS123235BFP-1 HY5RS123235BFP-2 HY5RS123235BFP-08
描述 DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PDSO136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136 DDR DRAM, 16MX32, 0.22ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136 DDR DRAM, 16MX32, 0.26ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136 DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PDSO136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136 DDR DRAM, 16MX32, 0.2ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136 DDR DRAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136 DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PDSO136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA136,12X17,32 TFBGA, BGA136,12X17,32 TFBGA, BGA136,12X17,32 TFBGA, BGA136,12X17,32 TFBGA, BGA136,12X17,32 TFBGA, BGA136,12X17,32 TFBGA, BGA136,12X17,32
针数 136 136 136 136 136 136 136
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 550 MHz 900 MHz 700 MHz 700 MHz 1000 MHz 500 MHz 1200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G66 R-PBGA-B136 R-PBGA-B136 R-PDSO-G66 R-PBGA-B136 R-PBGA-B136 R-PDSO-G66
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 136 136 136 136 136 136 136
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA136,12X17,32 BGA136,12X17,32 BGA136,12X17,32 BGA136,12X17,32 BGA136,12X17,32 BGA136,12X17,32 BGA136,12X17,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260
电源 1.5 V 1.8 V 1.8 V 1.5 V 2 V 1.8 V 2 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大待机电流 0.04 A 0.14 A 0.09 A 0.05 A 0.16 A 0.08 A 0.18 A
最大压摆率 0.46 mA 1.18 mA 0.83 mA 0.5 mA 1.3 mA 0.655 mA 1.42 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.545 V 2.15 V 2.15 V 1.545 V 2.15 V 2.15 V 2.15 V
最小供电电压 (Vsup) 1.455 V 1.7 V 1.7 V 1.455 V 1.95 V 1.7 V 1.95 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.8 V 1.8 V 1.5 V 2.05 V 1.8 V 2.05 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20 20 20 20
宽度 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm
最长访问时间 - 0.22 ns 0.26 ns - 0.2 ns 0.35 ns -

 
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