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NAND04GW4B2BN1F: 产品描述Flash, 256MX16, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48; 产品类别存储存储; 文件大小825KB，共57页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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NAND04GW4B2BN1F概述

Flash, 256MX16, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSSOP,
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3
长度	18.4 mm
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	3 V
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	12 mm

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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