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GM71VS64403CT-5

产品描述EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,
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文件大小387KB,共11页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM71VS64403CT-5概述

EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,

GM71VS64403CT-5规格参数

参数名称属性值
厂商名称LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G32
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

GM71VS64403CT-5相似产品对比

GM71VS64403CT-5 GM71VS64403CJ-5 GM71V64403CLJ-6 GM71V64403CLJ-5 GM71VS64403CJ-6 GM71V64403CLT-5 GM71V64403CLT-6 GM71VS64403CT-6
描述 EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,
厂商名称 LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 50 ns 60 ns 50 ns 60 ns 50 ns 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING J BEND J BEND J BEND J BEND GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL

 
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