Video DRAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, LCC-52
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | QCCJ, |
| 针数 | 52 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 80 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J52 |
| 长度 | 19.1262 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | VIDEO DRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 3 |
| 端子数量 | 52 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 512 |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 19.1262 mm |
| MT43C8128EJ-8TR | PTN2208K2641BBT0 | MT43C8129EJ-10TR | MT43C8129EJ-8TR | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Video DRAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, LCC-52 | RESISTOR, THIN FILM, 0.75 W, 0.1 %, 100 ppm, 2640 ohm, SURFACE MOUNT, 2208, CHIP | Video DRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, LCC-52 | Video DRAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PQCC52, 0.750 INCH, PLASTIC, LCC-52 |
| 包装说明 | QCCJ, | SMT, 2208 | QCCJ, | QCCJ, |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | ANTI-SULFUR; LASER TRIMMABLE; NON-INDUCTIVE | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| 端子数量 | 52 | 2 | 52 | 52 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 155 °C | 70 °C | 70 °C |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | SMT | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | THIN FILM | CMOS | CMOS |
| 厂商名称 | Micron Technology | - | Micron Technology | Micron Technology |
| 零件包装代码 | LCC | - | LCC | LCC |
| 针数 | 52 | - | 52 | 52 |
| 访问模式 | FAST PAGE | - | FAST PAGE | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 80 ns | - | 100 ns | 80 ns |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J52 | - | S-PQCC-J52 | S-PQCC-J52 |
| 长度 | 19.1262 mm | - | 19.1262 mm | 19.1262 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit | - | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | VIDEO DRAM | - | VIDEO DRAM | VIDEO DRAM |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端口数量 | 3 | - | 3 | 3 |
| 字数 | 131072 words | - | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | - | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 128KX8 | - | 128KX8 | 128KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | - | QCCJ | QCCJ |
| 封装形状 | SQUARE | - | SQUARE | SQUARE |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 512 | - | 512 | 512 |
| 座面最大高度 | 4.57 mm | - | 4.57 mm | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | - | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | - | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | 5 V |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND | - | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | - | QUAD | QUAD |
| 宽度 | 19.1262 mm | - | 19.1262 mm | 19.1262 mm |
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