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MH1M08A1JA-12: 产品描述DRAM Module, 1MX8, 120ns, CMOS, SIMM-30; 产品类别存储存储; 文件大小333KB，共11页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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MH1M08A1JA-12概述

DRAM Module, 1MX8, 120ns, CMOS, SIMM-30

MH1M08A1JA-12规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SIMM
包装说明	, SIP30,.2
针数	30
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	NIBBLE
最长访问时间	120 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T30
JESD-609代码	e0
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP30,.2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	21.082 mm
最大待机电流	0.004 A
最大压摆率	0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

MH1M08A1JA-12相似产品对比

	MH1M08A1JA-12	MH1M08A1J-12	MH1M08A1J-8	MH1M08A1JA-10	MH1M08A1JA-8	MH1M08A1J-10
描述	DRAM Module, 1MX8, 120ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX8, 120ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30	DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	, SIP30,.2	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	, SIP30,.2	, SIP30,.2	SIMM, SIM30
针数	30	30	30	30	30	30
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE
最长访问时间	120 ns	120 ns	80 ns	100 ns	80 ns	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30	R-XSMA-T30	R-XSMA-N30
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bi
内存集成电路类型	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	30	30	30	30	30	30
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP30,.2	SIM30	SIM30	SIP30,.2	SIP30,.2	SIM30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512	512	512
座面最大高度	21.082 mm	20.32 mm	20.32 mm	21.082 mm	21.082 mm	20.32 mm
最大待机电流	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
最大压摆率	0.4 mA	0.4 mA	0.56 mA	0.48 mA	0.56 mA	0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	-	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)

MH1M08A1JA-12

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MH1M08A1JA-12规格参数

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