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MSS60,148-E25

产品描述Mixer Diode, High Barrier, Silicon, CERAMIC, CASE E25, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小140KB,共4页
制造商MACOM
官网地址http://www.macom.com
标准
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MSS60,148-E25概述

Mixer Diode, High Barrier, Silicon, CERAMIC, CASE E25, 2 PIN

MSS60,148-E25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称MACOM
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
JESD-609代码e4
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
端子面层Gold (Au)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MSS60,000 Series
Extra High Barrier Silicon Schottky Diodes
Description
The Aeroflex / Metelics MSS60,000 Series of Schottky diodes
are fabricated on N-Type epitaxial substrates using proprietary
processes that yield the highest FCOs in the industry. Optimum
mixer performance is obtained with LO power of +6 dBm to +12
dBm per diode.
Features
V
F
, R
D
and C
J
matching options
Chip, beam lead or packaged devices
Hi-Rel screening per MIL-PRF-19500
and MIL-PRF-38534 available
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Reverse Voltage
Forward Current
Operation Temperature
Storage Temperature
Power Dissipation
Soldering Temperature (Packaged)
Beam Lead Pull Strength
Rated V
BR
50 mA
-65 ºC to +1 ºC
50
-65 ºC to +1 ºC
50
100 mW per junction at T
A
= 25 ºC, derate
linearly to zero at T
A
= +1 ºC
50
+ 260 ºC for 5 sec.
4 grams minimum
Rating
Beam Lead
Electrical Specifications,
T
A
= 25 ºC
V
F
V
BR
MIN
C
J
TYP / MAX
R
S
TYP
R
D
MAX
Model
MSS60,1
44-B10B
MSS60,1
48-B10B
MSS60,1
53-B10B
MSS60,244-B20
MSS60,248-B20
MSS60,253-B20
Test
Conditions
Configuration
TYP
Outline
V
V
pF
Single Junction
Single Junction
Single Junction
Series Tee
Series Tee
Series Tee
625
625
625
625
625
625
I
F
= 1
mA
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
I
R
=
10
μA
0.08 0.10
0.1 / 0.1
2
5
0.20 / 0.25
0.08 / 0.10
0.1 / 0.1
2
5
0.20 / 0.25
V
R
= 0 V
F = 1 MHz
20
13
7
20
13
7
I
F
= 5 mA
25
18
1
2
25
18
1
2
B10B
B10B
B10B
B20
B20
B20
Revision Date: 05/20/05
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