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SMJ44C250-10JDM

产品描述256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
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文件大小1MB,共38页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

SMJ44C250-10JDM概述

256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

SMJ44C250-10JDM规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.4
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-CDIP-T28
长度35.925 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型VIDEO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量2
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度4.445 mm
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

SMJ44C250-10JDM相似产品对比

SMJ44C250-10JDM SMJ44C250-12HJM SMJ44C250-12JDM SMJ44C250-10HJM
描述 256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28 256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP SOJ DIP SOJ
包装说明 DIP, DIP28,.4 SOJ, SOJ28,.44 DIP, DIP28,.4 SOJ, SOJ28,.44
针数 28 28 28 28
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 100 ns 120 ns 120 ns 100 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-CDIP-T28 R-CDSO-J28 R-CDIP-T28 R-CDSO-J28
长度 35.925 mm 18.542 mm 35.925 mm 18.542 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi
内存集成电路类型 VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM
内存宽度 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 28 28 28 28
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP SOJ DIP SOJ
封装等效代码 DIP28,.4 SOJ28,.44 DIP28,.4 SOJ28,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 4.445 mm 4.521 mm 4.445 mm 4.521 mm
最大待机电流 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
最大压摆率 0.11 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.541 mm 10.16 mm 10.541 mm
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