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SMJ44C250-12HJM

产品描述256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共38页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

SMJ44C250-12HJM概述

256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28

SMJ44C250-12HJM规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ28,.44
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间120 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-CDSO-J28
长度18.542 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型VIDEO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量2
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度4.521 mm
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.541 mm
Base Number Matches1

SMJ44C250-12HJM相似产品对比

SMJ44C250-12HJM SMJ44C250-10JDM SMJ44C250-12JDM SMJ44C250-10HJM
描述 256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28 256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 SOJ DIP DIP SOJ
包装说明 SOJ, SOJ28,.44 DIP, DIP28,.4 DIP, DIP28,.4 SOJ, SOJ28,.44
针数 28 28 28 28
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 120 ns 100 ns 120 ns 100 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-CDSO-J28 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28 R-CDSO-J28
长度 18.542 mm 35.925 mm 35.925 mm 18.542 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi
内存集成电路类型 VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM
内存宽度 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 28 28 28 28
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 SOJ DIP DIP SOJ
封装等效代码 SOJ28,.44 DIP28,.4 DIP28,.4 SOJ28,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 4.521 mm 4.445 mm 4.445 mm 4.521 mm
最大待机电流 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
最大压摆率 0.1 mA 0.11 mA 0.1 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.541 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.541 mm

 
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