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MT47H64M16HR-3 IT:H

产品描述IC 64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84, Dynamic RAM
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文件大小9MB,共131页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT47H64M16HR-3 IT:H概述

IC 64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84, Dynamic RAM

MT47H64M16HR-3 IT:H规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
包装说明TFBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B84
JESD-609代码e1
长度12.5 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA84,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.007 A
最大压摆率0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm

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1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
Features
V
DD
= +1.8V ±0.1V, V
DDQ
= +1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Selectable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
RoHS-compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Options
1
Configuration
256 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 8 banks)
128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 8 banks)
64 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 8 banks)
FBGA package (Pb-free) – x16
84-ball FBGA (8mm x 12.5mm)
Rev. G, H
FBGA package (Pb-free) – x4, x8
60-ball FBGA (8mm x 11.5mm)
Rev. G
FBGA package (Pb-free) – x4, x8
60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. H
FBGA package (lead solder) – x16
84-ball FBGA (8mm x 12.5mm)
Rev. G, H
FBGA package (lead solder) – x4, x8
60-ball FBGA (8mm x 11.5mm)
Rev. G
FBGA package (lead solder) – x4, x8
60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. H
Timing – cycle time
1.875ns @ CL = 7 (DDR2-1066)
2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
2.5ns @ CL = 6 (DDR2-800)
3.0ns @ CL = 4 (DDR2-667)
3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
Self refresh
Standard
Low-power
Operating temperature
Commercial (0°C
T
C
85°C)
Industrial (–40°C
T
C
95°C;
–40°C
T
A
85°C)
Automotive (–40°C
T
C
, T
A
105ºC)
Revision
Note:
Marking
256M4
128M8
64M16
HR
HQ
CF
HW
HV
JN
-187E
-25E
-25
-3E
-3
-37E
None
L
None
IT
AT
:G/:H
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. T 02/10 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

MT47H64M16HR-3 IT:H相似产品对比

MT47H64M16HR-3 IT:H MT47H64M16BT-37E MT47H128M8BT-5E MT47H256M4BT-5E MT47H256M4BT-37E MT47H128M8BT-37E MT47H64M16HR-25E MT47H64M16HR-3 MT47H64M16BT-5E
描述 IC 64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84, Dynamic RAM DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, LEAD FREE, FBGA-92 DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, LEAD FREE, FBGA-92 DDR DRAM, 256MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, LEAD FREE, FBGA-92 DDR DRAM, 256MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, LEAD FREE, FBGA-92 DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, LEAD FREE, FBGA-92 DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, LEAD FREE, FBGA-92
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown compliant unknow
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
包装说明 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA92,9X21,32 TFBGA, BGA92,9X21,32 TFBGA, BGA92,9X21,32 TFBGA, BGA92,9X21,32 TFBGA, BGA92,9X21,32 - - TFBGA, BGA92,9X21,32
ECCN代码 3A991 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST - - MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.5 ns 0.6 ns 0.6 ns 0.5 ns 0.5 ns - - 0.6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - - AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 267 MHz 200 MHz 200 MHz 267 MHz 267 MHz - - 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON - - COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 - - 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B84 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 - - R-PBGA-B92
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e1 e1 - - e1
长度 12.5 mm 19 mm 19 mm 19 mm 19 mm 19 mm - - 19 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit - - 1073741824 bi
内存宽度 16 16 8 4 4 8 - - 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 - - 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 - - 1
端子数量 84 92 92 92 92 92 - - 92
字数 67108864 words 67108864 words 134217728 words 268435456 words 268435456 words 134217728 words - - 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 128000000 256000000 256000000 128000000 - - 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - - SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C - - 85 °C
组织 64MX16 64MX16 128MX8 256MX4 256MX4 128MX8 - - 64MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA - - TFBGA
封装等效代码 BGA84,9X15,32 BGA92,9X21,32 BGA92,9X21,32 BGA92,9X21,32 BGA92,9X21,32 BGA92,9X21,32 - - BGA92,9X21,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH - - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 - NOT SPECIFIED 260
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V - - 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 - - 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - - 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES - - YES
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 - - 4,8
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V - - 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V - - 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V - - 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES - - YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER - - OTHER
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL - - BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm - - 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM - - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 - NOT SPECIFIED 30
宽度 8 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm - - 11 mm
零件包装代码 - BGA BGA BGA BGA BGA - - BGA
针数 - 92 92 92 92 92 - - 92
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