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MT41K128M16JT-125XIT:K

产品描述DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共212页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT41K128M16JT-125XIT:K概述

DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96

MT41K128M16JT-125XIT:K规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
针数96
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B96
JESD-609代码e1
长度14 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量96
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm

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2Gb: x4, x8, x16 DDR3L SDRAM
Description
DDR3L SDRAM
MT41K512M4 – 64 Meg x 4 x 8 banks
MT41K256M8 – 32 Meg x 8 x 8 banks
MT41K128M16 – 16 Meg x 16 x 8 banks
Description
The 1.35V DDR3L SDRAM device is a low-voltage ver-
sion of the 1.5V DDR3 SDRAM device. Refer to the
DDR3 (1.5V) SDRAM data sheet specifications when
running in 1.5V compatible mode.
Automatic self refresh (ASR)
Write leveling
Multipurpose register
Output driver calibration
Options
• Configuration
– 512 Meg x 4
– 256 Meg x 8
– 128 Meg x 16
• FBGA package (Pb-free) – x4, x8
– 78-ball (8mm x 10.5mm)
Rev. M, K
– 78-ball FBGA (9mm x 11.5mm)
Rev. D
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 96-ball FBGA (9mm x 14mm)
Rev. D
– 96-ball FBGA (8mm x 14mm)
Rev. K
• Timing – cycle time
– 1.071ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
– 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
– 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
– 1.875ns @ CL = 7 (DDR3-1066)
• Operating temperature
– Commercial (0°C
T
C
+95°C)
– Industrial (–40°C
T
C
+95°C)
• Revision
Marking
512M4
256M8
128M16
DA
HX
Features
V
DD
= V
DDQ
= 1.35V (1.283–1.45V)
Backward-compatible to V
DD
= V
DDQ
= 1.5V ±0.075V
Differential bidirectional data strobe
8n-bit prefetch architecture
Differential clock inputs (CK, CK#)
8 internal banks
Nominal and dynamic on-die termination (ODT)
for data, strobe, and mask signals
Programmable CAS (READ) latency (CL)
Programmable posted CAS additive latency (AL)
Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4
(via the mode register set [MRS])
Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
Self refresh mode
T
C
of 0°C to +95°C
– 64ms, 8192-cycle refresh at 0°C to +85°C
– 32ms at +85°C to +95°C
Self refresh temperature (SRT)
HA
JT
-107
-125
-15E
-187E
None
IT
:D/ :M / :K
Table 1: Key Timing Parameters
Speed Grade
-107
1, 2, 3
-125
1, 2
-15E
1
-187E
Notes:
Data Rate (MT/s)
1866
1600
1333
1066
Target
t
RCD-
t
RP-CL
13-13-13
11-11-11
9-9-9
7-7-7
t
RCD
(ns)
t
RP
(ns)
CL (ns)
13.91
13.75
13.5
13.1
13.91
13.75
13.5
13.1
13.91
13.75
13.5
13.1
1. Backward compatible to 1066, CL = 7 (-187E).
2. Backward compatible to 1333, CL = 9 (-15E).
3. Backward compatible to 1600, CL = 11 (-107).
PDF: 09005aef83ed2952
2Gb_DDR3L.pdf - Rev. K 9/13 EN
1
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2010 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

MT41K128M16JT-125XIT:K相似产品对比

MT41K128M16JT-125XIT:K MT41K256M8DA-125IT:KTR MT41K128M16JT-125XIT:KT
描述 DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78 DDR DRAM,
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
厂商名称 Micron Technology Micron Technology -
包装说明 8 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 TFBGA, -
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH -
JESD-30 代码 R-PBGA-B96 R-PBGA-B78 -
长度 14 mm 10.5 mm -
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit -
内存宽度 16 8 -
功能数量 1 1 -
端口数量 1 1 -
端子数量 96 78 -
字数 134217728 words 268435456 words -
字数代码 128000000 256000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
组织 128MX16 256MX8 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 TFBGA TFBGA -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH -
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm -
自我刷新 YES YES -
最大供电电压 (Vsup) 1.45 V 1.45 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.283 V 1.283 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.35 V 1.35 V -
表面贴装 YES YES -
技术 CMOS CMOS -
端子形式 BALL BALL -
端子节距 0.8 mm 0.8 mm -
端子位置 BOTTOM BOTTOM -
宽度 8 mm 8 mm -
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