HY5R288HC745,HY5R288HC745 pdf中文资料,HY5R288HC745引脚图,HY5R288HC745电路-Datasheet-电子工程世界

HY5R288HC745: 产品描述Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92; 产品类别存储存储; 文件大小4MB，共64页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY5R288HC745概述

Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92

HY5R288HC745规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA92,10X18,32
针数	92
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	45 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	711 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B92
JESD-609代码	e0
长度	16.66 mm
内存密度	301989888 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	92
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	16MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA92,10X18,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	11.05 mm

HY5R288HC745相似产品对比

	HY5R288HC745	HY5R256HC745	HY5R288HC840	HY5R288HC845	HY5R256HC845	HY5R256HC840
描述	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92	Rambus DRAM, 16MX16, 45ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92	Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92	Rambus DRAM, 16MX16, 45ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92	Rambus DRAM, 16MX16, 40ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA92,10X18,32	TFBGA, BGA92,10X18,32	TFBGA, BGA92,10X18,32	TFBGA, BGA92,10X18,32	TFBGA, BGA92,10X18,32	TFBGA, BGA92,10X18,32
针数	92	92	92	92	92	92
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	45 ns	45 ns	40 ns	45 ns	45 ns	40 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	711 MHz	711 MHz	800 MHz	800 MHz	800 MHz	800 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B92	R-PBGA-B92	R-PBGA-B92	R-PBGA-B92	R-PBGA-B92	R-PBGA-B92
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	16.66 mm	16.66 mm	16.66 mm	16.66 mm	16.66 mm	16.66 mm
内存密度	301989888 bit	268435456 bit	301989888 bit	301989888 bit	268435456 bit	268435456 bi
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	18	16	18	18	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	92	92	92	92	92	92
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX18	16MX16	16MX18	16MX18	16MX16	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA92,10X18,32	BGA92,10X18,32	BGA92,10X18,32	BGA92,10X18,32	BGA92,10X18,32	BGA92,10X18,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	11.05 mm	11.05 mm	11.05 mm	11.05 mm	11.05 mm	11.05 mm

推荐资源

采用ICL7106-ICL7107芯片的液晶显示电路a

C2000中ePWM模块间同步延时的问题: 在C2000DSP的ePWM模块与EV模块有很大的差别，EV模块各路PWM共用一个时基，而ePWM模块则有各自的时基，通过同步信号来同步。但同步是有时间开销的：The delay from internal master module to slave modules is given by:if ( TBCLK = EPWMCLK): 2 x EPWMCLKif ( TBCLK != EPWMC...; 灞波儿奔微控制器 MCU

单片机晶振的问题总结: [p=30, null, left][color=rgb(34, 34, 34)][font="]晶振是什么?全称是石英晶体振荡器，是一种高精度和高稳定度的振荡器。通过一定的外接电路来，可以生成频率和峰值稳定的正弦波。而单片机在运行的时候，需要一个脉冲信号，做为自己执行指令的触发信号，可以简单的想象为：单片机收到一个脉冲，就执行一次或多次指令。[/font][/color][/p][p=3...; fish001 微控制器 MCU

跪求基于STM32F103ZET6的CC1101驱动: 刚买了CC1101模块。卖家只有C51的驱动，但是我想要适合STM32F103ZET6的驱动。网上找了半天。都没找到。谁手头上有啊，或则指点一下如何移植。...; cjw007 stm32/stm8

风火轮的wheel设计疑问: 风火轮的wheel设计为什么是矩阵的方块，原理是怎样的，难道类似触摸屏的像素点？[[i] 本帖最后由 hjselena 于 2012-2-9 09:36 编辑 [/i]]...; hjselena 微控制器 MCU

PCB多层板设计相关技术: PCB多层板设计相关技术对多层板的分层一直搞的不是很清楚，因这一板的电路比较重要，所以还是决定花点时间学习一下。网上搜了一些资料，整理如下。多层板层设计的几个原则：1－每个信号层都与平面相邻2－信号层与与相邻平面成对3－电源层和地层相邻并成对4－高速信号埋伏在平面层中间，减少辐射5－使用多个底层，减少地阻抗和共模辐射PCB分层堆叠在控制EMI辐射中的作用和设计技巧。电源汇流排电磁屏蔽PCB堆叠多电...; yuandayuan6999 PCB设计

通信中载波分内部载波和外部载波吗？: 请教大家一个问题，通信中的载波还分内部载波和外部载波吗？external carrier，internal carrier...; 木犯001号电源技术

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多