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K4R881869E-GCM8T

产品描述Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92
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文件大小313KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4R881869E-GCM8T概述

Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92

K4R881869E-GCM8T规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数92
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间40 ns
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B92
长度15.1 mm
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量92
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织16MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9.3 mm

K4R881869E-GCM8T相似产品对比

K4R881869E-GCM8T K4R881869E-GCT9T
描述 Rambus DRAM, 16MX18, 40ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92 Rambus DRAM, 16MX18, 32ns, CMOS, PBGA92, LEAD FREE, WBGA-92
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 VFBGA, VFBGA,
针数 92 92
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间 40 ns 32 ns
其他特性 SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92
长度 15.1 mm 15.1 mm
内存密度 301989888 bit 301989888 bit
内存集成电路类型 RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM
内存宽度 18 18
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 92 92
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 16MX18 16MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1 mm
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
宽度 9.3 mm 9.3 mm

 
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