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EDI8F32128C85BAC

产品描述SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, PQMA64,
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文件大小322KB,共7页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI8F32128C85BAC概述

SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, PQMA64,

EDI8F32128C85BAC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间85 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 128K X 32
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQMA-C64
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量64
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.826 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式C BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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