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MBR1680CT

产品描述16 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小115KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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MBR1680CT概述

16 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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MBR1640CT - MBR16200CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
TO-220AB
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
• Case: TO-220AB molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d ( S e e F i g ur e 1 )
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 8 . 0 A p e r l e g
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J C
T
J
, T
S T G
-5 5 to +1 5 0
MB R1 6 4 0 C T
MB R1 6 4 5 C T
MB R1 6 5 0 C T
MB R1 6 6 0 C T
MB R1 6 8 0 C T
MB R1 6 9 0 C T
MB R1 6 1 0 0 C T
MB R1 6 1 5 0 C T
MB R1 6 2 0 0 C T
U N IT S
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
16
150
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7 0
0 .7 5
0 .0 5
20
2 .0
0 .8 0
0 .9 0
V
mA
O
C/
W
C
-65 to +175
O
NOTES:Both Bonding and Chip structure are available.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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描述 16 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 16 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB NPN 9 GHz wideband transistor LMP8640/-Q1/HV Precision High Voltage Current Sense Amplifiers 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier NPN 9 GHz wideband transistor LMP8645, LMP8645HV Precision High Voltage Current Sense Amplifier 16 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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