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MT28C128564W30DFW-606BTWT

产品描述Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77
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文件大小227KB,共21页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT28C128564W30DFW-606BTWT概述

Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77

MT28C128564W30DFW-606BTWT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明FBGA-77
针数77
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间60 ns
其他特性CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16
JESD-30 代码R-PBGA-B77
JESD-609代码e1
长度10 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+PSRAM
功能数量1
端子数量77
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA77,8X10,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.00015 A
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm

MT28C128564W30DFW-606BTWT相似产品对比

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描述 Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77 Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77 Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77 Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77 Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77 Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 FBGA-77 FBGA-77 FBGA-77 FBGA-77 FBGA-77 FBGA-77
针数 77 77 77 77 77 77
Reach Compliance Code unknown not_compliant unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 60 ns 70 ns 60 ns 60 ns 70 ns 70 ns
其他特性 CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16 CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16 CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16 CELLULARRAM ORGANISATION IS 2M X 16 CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16 CELLULARRAM ORGANISATION IS 2M X 16
JESD-30 代码 R-PBGA-B77 R-PBGA-B77 R-PBGA-B77 R-PBGA-B77 R-PBGA-B77 R-PBGA-B77
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e1 e1
长度 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16 16 16 16 16 16
混合内存类型 FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 77 77 77 77 77 77
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C
组织 8MX16 8MX16 8MX16 8MX16 8MX16 8MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA
封装等效代码 BGA77,8X10,32 BGA77,8X10,32 BGA77,8X10,32 BGA77,8X10,32 BGA77,8X10,32 BGA77,8X10,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大待机电流 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A 0.00014 A 0.00015 A 0.00014 A
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
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