MT28C128564W18DFW-606BTWT,MT28C128564W18DFW-606BTWT pdf中文资料,MT28C128564W18DFW-606BTWT引脚图,MT28C128564W18DFW-606BTWT电路-Datasheet-电子工程世界

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MT28C128564W18DFW-606BTWT: 产品描述Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77; 产品类别存储存储; 文件大小227KB，共21页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT28C128564W18DFW-606BTWT概述

Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77

MT28C128564W18DFW-606BTWT规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	FBGA-77
针数	77
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	60 ns
其他特性	CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B77
JESD-609代码	e1
长度	10 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+PSRAM
功能数量	1
端子数量	77
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA77,8X10,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.00015 A
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

MT28C128564W18DFW-606BTWT相似产品对比

	MT28C128564W18DFW-606BTWT	MT28C128564W30DFW-705BTWT	MT28C128532W30DFW-606BBWT	MT28C128564W18DFW-705BTWT	MT28C128532W30DFW-705TBWT	MT28C128564W30DFW-606BTWT
描述	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	FBGA-77	FBGA-77	FBGA-77	FBGA-77	FBGA-77	FBGA-77
针数	77	77	77	77	77	77
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	60 ns	70 ns	60 ns	70 ns	70 ns	60 ns
其他特性	CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16	CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16	CELLULARRAM ORGANISATION IS 2M X 16	CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16	CELLULARRAM ORGANISATION IS 2M X 16	CELLULARRAM ORGANISATION IS 4M X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B77	R-PBGA-B77	R-PBGA-B77	R-PBGA-B77	R-PBGA-B77	R-PBGA-B77
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16	16	16	16	16	16
混合内存类型	FLASH+PSRAM	FLASH+PSRAM	FLASH+PSRAM	FLASH+PSRAM	FLASH+PSRAM	FLASH+PSRAM
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	77	77	77	77	77	77
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA77,8X10,32	BGA77,8X10,32	BGA77,8X10,32	BGA77,8X10,32	BGA77,8X10,32	BGA77,8X10,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大待机电流	0.00015 A	0.00015 A	0.00014 A	0.00015 A	0.00014 A	0.00015 A
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm

MT28C128564W18DFW-606BTWT

MT28C128564W18DFW-606BTWT概述

MT28C128564W18DFW-606BTWT规格参数

MT28C128564W18DFW-606BTWT相似产品对比

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