SIHB16N50CTL-E3,SIHB16N50CTL-E3 pdf中文资料,SIHB16N50CTL-E3引脚图,SIHB16N50CTL-E3电路-Datasheet-电子工程世界

SIHB16N50CTL-E3: 产品描述TRANSISTOR 16 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小176KB，共9页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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SIHB16N50CTL-E3概述

TRANSISTOR 16 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

	SIHB16N50CTL-E3	SIHB16N50CTR-E3
描述	TRANSISTOR 16 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 16 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)
零件包装代码	D2PAK	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4	4
Reach Compliance Code	unknown	unknown
雪崩能效等级（Eas）	320 mJ	320 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	16 A	16 A
最大漏极电流 (ID)	16 A	16 A
最大漏源导通电阻	0.38 Ω	0.38 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	250 W	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A	40 A
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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