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MBRD660

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60V V(RRM), Silicon, DPAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小860KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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MBRD660概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60V V(RRM), Silicon, DPAK-3/2

MBRD660规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MBRD660相似产品对比

MBRD660 MBRD660TR
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60V V(RRM), Silicon, DPAK-3/2 Rectifier Diode,
厂商名称 Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明 R-PSSO-G2 DPAK-3/2
Reach Compliance Code compliant unknown
其他特性 FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.75 V 0.75 V
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 6 A 6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 60 V 60 V
最大反向电流 1000 µA 1000 µA
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE

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