DM512K36ST-12I,DM512K36ST-12I pdf中文资料,DM512K36ST-12I引脚图,DM512K36ST-12I电路-Datasheet-电子工程世界

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DM512K36ST-12I: 产品描述Cache DRAM Module, 512KX36, 12ns, CMOS, PSMA72,; 产品类别存储存储; 文件大小140KB，共21页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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DM512K36ST-12I概述

Cache DRAM Module, 512KX36, 12ns, CMOS, PSMA72,

DM512K36ST-12I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
包装说明	SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N72
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE DRAM MODULE
内存宽度	36
端子数量	72
字数	524288 words
字数代码	512000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM
封装等效代码	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	24.257 mm
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	1.125 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	SINGLE

DM512K36ST-12I相似产品对比

	DM512K36ST-12I	DM512K32ST-12	DM512K32ST-12I	DM512K36ST-15I	DM512K36ST-15	DM512K36ST-12	DM512K32ST-15I	DM512K32ST-15
描述	Cache DRAM Module, 512KX36, 12ns, CMOS, PSMA72,	Cache DRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, PSMA72,	Cache DRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, PSMA72,	Cache DRAM Module, 512KX36, 15ns, CMOS, PSMA72,	Cache DRAM Module, 512KX36, 15ns, CMOS, PSMA72,	Cache DRAM Module, 512KX36, 12ns, CMOS, PSMA72,	Cache DRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PSMA72,	Cache DRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PSMA72,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
包装说明	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	12 ns	12 ns	12 ns	15 ns	15 ns	12 ns	15 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72	R-PSMA-N72
内存密度	18874368 bit	16777216 bit	16777216 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	CACHE DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE	CACHE DRAM MODULE
内存宽度	36	32	32	36	36	36	32	32
端子数量	72	72	72	72	72	72	72	72
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	512KX36	512KX32	512KX32	512KX36	512KX36	512KX36	512KX32	512KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	24.257 mm	24.257 mm	24.257 mm	24.257 mm	24.257 mm	24.257 mm	24.257 mm	24.257 mm
最大待机电流	0.005 A	0.004 A	0.004 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.004 A	0.004 A
最大压摆率	1.125 mA	0.9 mA	0.9 mA	0.9 mA	0.9 mA	1.125 mA	0.72 mA	0.72 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

DM512K36ST-12I

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DM512K36ST-12I规格参数

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