NDB410B,NDB410B pdf中文资料,NDB410B引脚图,NDB410B电路-Datasheet-电子工程世界

NDB410B: 产品描述7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小126KB，共6页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数选型对比

NDB410B概述

7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

NDB410B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A
最大漏极电流 (ID)	7 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	40 W
最大功率耗散 (Abs)	50 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON

NDB410B相似产品对比

	NDB410B	NDP410A	NDP410AE	NDP410BE	NDB410A	NDB410AE	NDB410BE
描述	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN	8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN	8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A	9 A	9 A	8 A	9 A	9 A	8 A
最大漏极电流 (ID)	7 A	8 A	8 A	7 A	8 A	8 A	7 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω	0.25 Ω	0.25 Ω	0.3 Ω	0.25 Ω	0.25 Ω	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	3	3	3	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	40 W	40 W	40 W	40 W	40 W	40 W	40 W
最大功率耗散 (Abs)	50 W	50 W	50 W	50 W	50 W	50 W	50 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	NO	NO	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
外壳连接	DRAIN	-	-	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN

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