NDP410AE,NDP410AE pdf中文资料,NDP410AE引脚图,NDP410AE电路-Datasheet-电子工程世界

NDP410AE: 产品描述8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小126KB，共6页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数选型对比

NDP410AE概述

8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

NDP410AE规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	9 A
最大漏极电流 (ID)	8 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	40 W
最大功率耗散 (Abs)	50 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON

NDP410AE相似产品对比

	NDP410AE	NDP410A	NDP410BE	NDB410A	NDB410AE	NDB410B	NDB410BE
描述	8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN	8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN	8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	9 A	9 A	8 A	9 A	9 A	8 A	8 A
最大漏极电流 (ID)	8 A	8 A	7 A	8 A	8 A	7 A	7 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω	0.25 Ω	0.3 Ω	0.25 Ω	0.25 Ω	0.3 Ω	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	40 W	40 W	40 W	40 W	40 W	40 W	40 W
最大功率耗散 (Abs)	50 W	50 W	50 W	50 W	50 W	50 W	50 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
外壳连接	-	-	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN

推荐资源

STK0040音响IC电路图

功率因数为1的卤素灯电子镇流器电路

NE555构成的脉宽调制式开关稳压电源电路图

实用不间断电源电路图

GA系列IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块的内部接线图

关于stm32系统时钟的一些问题: 关于系统时钟有几个疑问，想请教大家1，一个系统的系统时钟的大小是由什么来决定的阿？比如我刚开始建系统时选择使用了最高频率72M，等到现在整个系统的功能写的差不多了，老板问我能不能将频率调低一点，减少功耗，我就有点焉了，不知道怎么算我的这个系统的最小能工作的频率是多少，所以想请教一下大家，这个要怎么算阿2.就是就软体来说，是不是系统时钟越大越好阿？比如一个系统在36M频率下可以工作，那如果我将频率调...; gzzhida stm32/stm8

小菜鸟问个PIC单片机的基础问题。。。。。。: 用PIC单片机控制一个LED的亮灭。程序如下：#includepic.hvoid delay(){unsigned char a,b,c;for(a=20;a0;a--)for(b=20;b0;b--)for(c=248;c0;c--);}void main(){TRISA=0x00;while(1){PORTA=0x3f;delay();PORTA=0x00;delay();}}在16F877A...; gaoyiyiyi 单片机

protel DXP 教程（ppt格式）: ...; karenkaren PCB设计

ATSAMD21,使用ATMEL START配置内部DFLL48M CLOSE LOOP MODE 48MHz运行: [b][color=#5E7384]此内容由EEWORLD论坛网友[size=3]zhengwenbang[/size]原创，如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处[/color][/b]ATSAMD21E15B，同系列芯也可以。1.主要时钟配置概览：配置DFLL48M，其参考源选择GLCK1.GLCK1参考源为OSC32K。DFLL48M输出提供给GLCK0，做主时钟。2. DFLL48...; zhengwenbang Microchip MCU

查看下列字符串处理是否有问题: 下边的代码有错误吗？UNICODE_STRING foo；if(bArriving){RtlInitUnicodeString(&foo,L"Hello world!");}else{ANSI_STRING bar;RtlInitAnsiString(&bar,"Goodbye")RtlAnsiStringToUnicodeString(&foo,&bar,TRUE);}....RtlFreeUn...; zhangzhenyuan 嵌入式系统

接地与浮地技术: 接地与浮地技术...; hemingjun991 PCB设计

基于S7-300 PLC的大型电弧炉控制系统

目前，在我国冶金行业中，大多数三相电弧冶炼电炉是靠人工凋整电弧电流进行控制的。由于电弧炉的非线性、大滞后、强耦合、时变及随机干扰较强等难点，以及工人的经验不同，冶炼的效果分散性很大，导致产品质量下降，在冶炼的不同阶段，控制效果很难一致，系统容易振荡，增加电极消耗，严重时会引起断电现象，不能保证三相电流的平衡输入，产品质量不稳定，或者采用的控制器为BOOL型控制模式，输出为通断信号，电极的升降速度...[详细]
深度分析Model 3市场行情，特斯拉成败在此一举

作为Model 3的第一位车主，马斯克与其他29位车主一起完成了Model 3的首批交付。对于一个月前刚满46岁的马斯克而言，这份生日礼物意义重大。自2016年3月31日Model 3发布以来，马斯克和特斯拉的粉丝们已经等待了将近500天。 “特斯拉要打造一款价格实惠的电动汽车，”马斯克在交付仪式激动地表示，“我相信它会成为同级别所有车中最好的。” 马斯克，这位被视为自...[详细]
富士康招工内幕曝光：高智商的工人不要

富士康工厂在国内招工一向很严格，在保密措施方面也做的很完善，那么在工人的招聘上面有什么要求吗？最近美国斯坦福大学教授罗斯高参与的一项中国地区抽样调查显示，富士康喜欢招聘智商不高的员工，这是怎么一回事？富士康　　据了解，罗斯高教授调查在中国24—30个月的贫困农村汉族儿童中，有53%的比例智商偏低。罗斯高分析认为，出现上述现象的原因有三个，一是基因问题；二是营养不足；三是养育...[详细]
“辉钼三英”将挑战“硅晶”成下一个材料热点

辉钼具有战略储备价值。历史上的石油、铁矿石,今日的稀土均已证明：牵动经济发展命脉、国家安全的资源代表国家利益,具备战略价值。作为新一轮经济增长的希望,新兴战略产业的崛起将使得相关的一切稀缺资源成为各国争夺的目标。政府对稀缺资源的保护力度将日益强化,供应将持续收紧。另据2010年欧盟发布《对欧盟生死攸关的原料》报告,提出欧盟稀有矿产原料短缺预警及对策，将14种重要矿产列入“紧缺”名单:锑、铍、钴、...[详细]
新一代Mifare射频基站IC MF RC522在水表中的应用

摘要：介绍了Philips公司最新推出的Mifare非接触IC卡读写芯片MF RC522的主要特性、引脚功能和基本指令集；简述以MSP430系列超低功耗16位单片机为内核的水表设计以及与MFRC522的硬件接口电路设计；重点阐述了MSP430对MF RC522的读写控制流程。关键词：MF RC522 MSP430单片机低功耗水表非接触式智能卡（射频卡）以其高度安全保密性、通信高速性、...[详细]
新型门禁系统投入机场应用守护航空安全

CardaxFT系统的应用特点　　机场作为国家重点建设项目，其周界安防系统无论从规模、结构或功能均堪称高端，具有重大的建设意义及使用价值，是机场安全运营的有力保障，其中门禁系统作为安防系统的重要组成部分，对于机场的出入控制，报警联动等功能的要求就显的极为重要，Cardax网络门禁系统强大的功能极好的完成了此项任务。下面，以杭州萧山国际机场为例，简单介绍CardaxFT门禁在机场安防中的应...[详细]
三星Galaxy S6 Edge参数曝光：4GB内存

　　新浪手机讯 1月20日下午消息，据韩国媒体报道，韩国分析师称，三星Galaxy S6曲面屏版将采用4GB内存、2K分辨率屏幕、2000万像素主摄像头等硬件配置。　　继华硕在CES2015展会上发布全球首款4GB内存智能手机ZenFone 2 之后，小米Note顶配版也成为搭载4GB内存的智能手机。韩国分析师称，三星Galaxy S6曲面屏版，也就是三星Gal...[详细]
ADI收购Maxim获中国反垄断许可

2020年7月13日，全球第二大模拟芯片厂商ADI（Analog Devices, Inc.）正式宣布，将以全股票交易的方式收购竞争对手，全球第七大模拟芯片公司Maxim Integrated，涉及交易金额达209.1亿美元，合并后的公司估值将超680亿美元（约人民币4760亿）。根据《反垄断法》，如若双方公司在全球范围内的收入超过100亿并且在中国市场收入超过4亿，那么我国相关监管部门...[详细]
三星：未曾考虑收购RIM和使用黑莓新操作系统

8月10日消息，据外国媒体报道，三星周四表示，该公司未曾考虑过收购RIM公司以及购买后者BlackBerry 10 新操作系统的授权许可。　　此前，某知名分析师曾表示RIM公司可能将其BlackBerry 10 操作系统授权给三星使用，随后在周三早盘时RIM股价上涨超过5%。（Kirk） ...[详细]
复旦大学设计出新型态光敏感性半导体内存

　　近日有研究团队基于原子级薄度的半导体设计出一种内存，除了具有良好的性能，也可以在完全不需要电力辅助的情况下，用光线就能消除储存数据，团队认为这种新的内存在系统整合型面板(System on Panel)上，具有十分大的应用潜力。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。　　Phys.org 报导，复旦大学和中国科学院微电子研究所的 Long-Fei He 及相关研究人员最...[详细]
国产车载芯片下一个黄金赛道

国产芯片的赛道还远未到拥挤的时候。2030年全球智能座舱市场规模预计将高达4860亿元，超过自动驾驶芯片的两倍。从智能座舱，到舱驾一体跨域融合，将是国产芯片超车的机会。一场缺芯与国产替代的浪潮将地平线推到了国内车载芯片市场的中心。从征程2到征程5，地平线在智驾芯片的地位逐渐从替代方案成为绝对的核心。据相关人员表示，2022年，地平线在辅助驾驶和高阶智驾市场几乎拿下一半市场。作为首家实现量产...[详细]
iPhone SE Plus揭秘：苹果全面升级

对于苹果来说，SE系列的更新升级不用那么快，两年一次的升级也是完全可以的。　　据外媒报道称，Blayne Curtis、Thomas O‘Malley、Tim Long等分析机构给出的消息显示，iPhone SE3不太可能会在2021年推出，换句话说就是，苹果明年不打算更新SE系列。　　消息中提到，苹果在可预见的未来没有更新iPhone SE系列的计划，不过潜在的更大屏幕新款iPhon...[详细]
存储器产线加速半导体产能扩展

　　根据市场研究公司IC Insights的资料，新的半导体制造产线——特别是DRAM 存储器的导入，预计将推动2018年和2019年的晶圆总产能高于平均水准。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。　　IC Insights最新的全球晶圆产能报告显示，2018年和2019年晶圆产能预计将成长8%，较2018年至2019年间晶圆产业的年平均成长更高约5%。　　去年由于D...[详细]
Vishay精密无磁薄膜片式电阻以小尺寸实现6W功率

宾夕法尼亚、MALVERN 2016 年 7 月18 日日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列高功率、表面贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用氮化铝衬底，功率等级为2W和6W，外形尺寸分别为1206和2512。今天推出的电阻所使用的氮...[详细]
研究人员推出无电容固态电源滤波器可用于单相DC-AC转换器

由于电力电子器件的高频工作特性，转换器需要使用关键的无源滤波组件。传统滤波方法采用双电感电容（LC）单元或电感电容电感（LCL）T型电路。然而，电容器容易受到磨损机制和故障模式的影响。（图片来源：CES Transactions on Electrical Machines and Systems）据外媒报道，由普渡大学（Purdue University）电气和计算机工程系Hai...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多