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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> KSR2011D26Z
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KSR2011D26Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小24KB，共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KSR2011D26Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

KSR2011D26Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

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KSR2011
KSR2011
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
• Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
• Built in bias Resistor (R=22KΩ)
• Complement to KSR1011
1
TO-92
1. Emitter 2. Collector 3. Base
Equivalent Circuit
C
R
B
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
-40
-40
-5
-100
300
150
-55 ~ 150
E
Units
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
h
FE
V
CE
(sat)
C
ob
f
T
R
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Input Resistor
Test Condition
I
C
= -100µA, I
E
=0
I
E
= -1mA, I
B
=0
V
CB
= -30V, I
E
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -1mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
V
CB
= -10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
= -10V, I
C
= -5mA
15
5.5
200
22
29
100
Min.
-40
-40
-0.1
600
-0.3
V
pF
MHz
KΩ
Typ.
Max.
Units
V
V
µA
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, July 2001

KSR2011D26Z相似产品对比

KSR2011D26Z KSR2011D74Z KSR2011D75Z KSR2011J05Z KSR2011D27Z KSR2011J18Z
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 100 100 100 100
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
厂商名称 Fairchild - - Fairchild Fairchild Fairchild
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 - TO-92 -

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