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BFQ69

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BFQ69概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

BFQ69规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-PRDB-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)5800 MHz

BFQ69相似产品对比

BFQ69 QFN3090ABKAGKWS BFT98B BFT99 BFS55A BF763 BFX59 BFX59F
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, Fixed Resistor, Thin Film, 0.025W, 309ohm, 100V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0202, RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92B, 3 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72,
Reach Compliance Code compliant unknown compliant compliant compliant compliant compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 3 2 4 4 4 3 4 4
最高工作温度 150 °C 125 °C 150 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装形式 DISK BUTTON SMT DISK BUTTON POST/STUD MOUNT CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
最大集电极电流 (IC) 0.03 A - 0.2 A 0.35 A 0.05 A 0.025 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 15 V - 20 V 20 V 15 V 15 V 20 V 20 V
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND - - - ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-PRDB-F3 - O-CRDB-F4 O-CRPM-F4 O-MBCY-W4 O-PBCY-T3 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4
元件数量 1 - 1 1 1 1 1 1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL PLASTIC/EPOXY METAL METAL
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
极性/信道类型 NPN - NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W - 2.3 W 4 W 0.25 W 0.5 W 0.37 W 0.37 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - YES NO NO NO NO NO
端子形式 FLAT - FLAT FLAT WIRE THROUGH-HOLE WIRE WIRE
端子位置 RADIAL - RADIAL RADIAL BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 5800 MHz - 3300 MHz 3300 MHz 4500 MHz 2000 MHz 900 MHz 1100 MHz
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