DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA60, (8 X 14) MM, PLASTIC, FBGA-60
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TBGA, |
| 针数 | 60 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.75 ns |
| 其他特性 | AUTO REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 14 mm |
| 内存密度 | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 60 |
| 字数 | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 105 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 8 mm |
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