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BAT54C-01RF

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小212KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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BAT54C-01RF概述

Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon,

BAT54C-01RF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.23 W
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

BAT54C-01RF相似产品对比

BAT54C-01RF BAT54C-01RFG
描述 Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.23 W 0.23 W
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.005 µs 0.005 µs
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
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