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3SK184R: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MINI PACK-4; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小315KB，共3页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

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3SK184R概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MINI PACK-4

3SK184R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	13 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.05 A
最大漏极电流 (ID)	0.05 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	0.04 pF
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.2 W
最小功率增益 (Gp)	13 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches	1

3SK184R相似产品对比

	3SK184R	3SK184S	3SK184Q	3SK184P
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MINI PACK-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MINI PACK-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MINI PACK-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MINI PACK-4
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4	4	4	4
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	13 V	13 V	13 V	13 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
最大漏极电流 (ID)	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	0.04 pF	0.04 pF	0.04 pF	0.04 pF
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4
工作模式	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.2 W	0.2 W	0.2 W	0.2 W
最小功率增益 (Gp)	13 dB	13 dB	13 dB	13 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches	1	1	1	1

推荐资源

具有线性／对数扫描的正弦波一方波一三角波振荡器

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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