MT47H32M8FP-5,MT47H32M8FP-5 pdf中文资料,MT47H32M8FP-5引脚图,MT47H32M8FP-5电路-Datasheet-电子工程世界

MT47H32M8FP-5: 产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, FBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小5MB，共99页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT47H32M8FP-5概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, FBGA-60

MT47H32M8FP-5规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	32MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.007 A
最大压摆率	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8 mm

MT47H32M8FP-5相似产品对比

	MT47H32M8FP-5	MT47H16M16FG-37E	MT47H32M8FP-5E	MT47H32M8FP-37E	MT47H64M4FP-37E	MT47H16M16FG-5	MT47H64M4FP-5E
描述	DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, FBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 14 MM, FBGA-84	DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, FBGA-60	DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, FBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, 8 X 14 MM, FBGA-84	DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, FBGA-60
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	符合	符合	不符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	8 X 14 MM, FBGA-84	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60	84	60	60	60	84	60
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	unknown	compliant	compliant	not_compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.5 ns	0.6 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.6 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	266 MHz	200 MHz	266 MHz	267 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60
JESD-609代码	e1	e0	e1	e1	e1	e0	e1
长度	12 mm	14 mm	12 mm	12 mm	12 mm	14 mm	12 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	16	8	8	4	16	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	84	60	60	60	84	60
字数	33554432 words	16777216 words	33554432 words	33554432 words	67108864 words	16777216 words	67108864 words
字数代码	32000000	16000000	32000000	32000000	64000000	16000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	32MX8	16MX16	32MX8	32MX8	64MX4	16MX16	64MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	235	260	260	260	235	260
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.007 A	0.009 A	0.007 A	0.009 A	0.009 A	0.007 A	0.007 A
最大压摆率	0.2 mA	0.24 mA	0.23 mA	0.24 mA	0.24 mA	0.2 mA	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅
厂商名称	Micron Technology	-	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology

MT47H32M8FP-5

MT47H32M8FP-5概述

MT47H32M8FP-5规格参数

MT47H32M8FP-5相似产品对比

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