TRIAC,200V V(DRM),8A I(T)RMS,TO-220
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 0.00001 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 10 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2.5 V |
| 最大维持电流 | 25 mA |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大漏电流 | 0.75 mA |
| 最高工作温度 | 110 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最大均方根通态电流 | 8 A |
| 断态重复峰值电压 | 200 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型 | TRIAC |
| BTA08-200A | BTB08-800A | BTB08-200A | BTA08-800A | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | TRIAC,200V V(DRM),8A I(T)RMS,TO-220 | TRIAC,800V V(DRM),8A I(T)RMS,TO-220 | TRIAC,200V V(DRM),8A I(T)RMS,TO-220 | TRIAC,800V V(DRM),8A I(T)RMS,TO-220 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 0.00001 V/us | 10 V/us | 0.00001 V/us | 10 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 10 mA | 25 mA | 10 mA | 25 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2.5 V | 1.5 V | 2.5 V | 1.5 V |
| 最大维持电流 | 25 mA | 25 mA | 25 mA | 25 mA |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 最高工作温度 | 110 °C | 110 °C | 110 °C | 110 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 最大均方根通态电流 | 8 A | 8 A | 8 A | 8 A |
| 断态重复峰值电压 | 200 V | 800 V | 200 V | 800 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型 | TRIAC | TRIAC | TRIAC | TRIAC |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved