TMS27C210A-15JE概述

64KX16 UVPROM, 150ns, CDIP40, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40

TMS27C210A-15JE规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP
包装说明	WDIP, DIP40,.6
针数	40
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	150 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T40
长度	52.07 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	40
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP
封装等效代码	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.91 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

TMS27C210A-15JE相似产品对比

	TMS27C210A-15JE	TMS27C210A-10JE	TMS27C210A-10JL	TMS27C210A-20JL	TMS27C210A-20JE	TMS27C210A-25JL	TMS27C210A-25JE
描述	64KX16 UVPROM, 150ns, CDIP40, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40	64KX16 UVPROM, 100ns, CDIP40, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40	1 048 576-Bit Programmable Read-Only Memory 40-CDIP	64KX16 UVPROM, 200ns, CDIP40, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40	64KX16 UVPROM, 200ns, CDIP40, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40	64KX16 UVPROM, 250ns, CDIP40, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40	64KX16 UVPROM, 250ns, CDIP40, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	WDIP, DIP40,.6	WDIP, DIP40,.6	WDIP, DIP40,.6	WDIP, DIP40,.6	WDIP, DIP40,.6	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-40	WDIP, DIP40,.6
针数	40	40	40	40	40	40	40
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	150 ns	100 ns	100 ns	200 ns	200 ns	250 ns	250 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40
长度	52.07 mm	52.07 mm	52.07 mm	52.07 mm	52.07 mm	52.07 mm	52.07 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	40	40	40	40	40	40	40
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-	-40 °C	-	-40 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP
封装等效代码	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.91 mm	4.91 mm	4.91 mm	4.91 mm	4.91 mm	4.91 mm	4.91 mm
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm

推荐资源

DIJ50462(电视机)红外线遥控发射电略

健身以及游戏辅助设备: 本帖最后由 lgqfhwy 于 2020-7-5 15:34 编辑健身以及游戏辅助设备作者：lgqfhwy 项目背景健身以及游戏行业最近有比较广阔的市场，在自己实际的锻炼以及游戏的过程中，也感 ......; lgqfhwy ST MEMS传感器创意设计大赛专区

28027fft程序例子波形查看问题: 如题一共测试了三个fft的例子，都是调用fft库函数，在ccs5.3 条件下都编译调试通过了，能够运行，但均没有得到正确的波形，不知道是这三个算法都有问题，还是我看波形的位置和方式不对。恳请各 ......; 水龙头 DSP 与 ARM 处理器

4*4LED微模块制作: 现在因为特殊项目的要求，需要使用一种4*4点阵组成的微模块，每个点上也都有RGB颜色。任务就是在硬件上设计和制作出这种4*4的微模块，同时在软件上也要进行必要的修改，让LED显示控制卡可以驱动 ......; 古道西风LY DIY/开源硬件专区

可以更改我的用户名、邮件及密码吗？: 可以更改我的昵称和邮件及密码吗？ 1）用户名一旦注册，是不能更改的，所以给自己起个好听易记的名称吧。 2）邮件和密码是可以更改的，在用户登录之后，点击右上角的“控制面板”，在下拉菜 ......; 小娜为我们提建议&公告

如何打开控制面版一个子程序: 在Windows CE下如何通过代码打开控制面版下的一个子程序，比如打开NetWork and Dial Connection. 请高手指教，谢谢了。...; bayasina 嵌入式系统

电源管理技术活力无限: 电源管理技术活力无限 2004年，半导体市场的景气带动电源供应与电源管理器件市场攀上又一高峰。市场调研公司iSuppli在今年9月时认为，2004年全球电源管理器件的总体销售额将达到201亿美元，比20 ......; zbz0529 电源技术

STM32单片机是如何启动的？

STM32中的内存 STM32中的内存包含两块主要区域：flash memory（只读）、static ram memory（SRAM，读写）。其中，flash memory 起始于0x08000000，SRAM起始于0x20000000。flash memory的第一部分存放异常向量表，表中包含了指向各种异常处理程序的指针。比如说，RESET Handler便位于0x08000004的位置，在...[详细]
单片机STM32的启动文件详解--学习笔记

　　启动文件简介　　启动文件由汇编编写，是系统上电复位后第一个执行的程序。主要做了以下工作：　　1、初始化堆栈指针SP=_initial_sp 　　2、初始化PC 指针=Reset_Handler 　　3、初始化中断向量表　　4、配置系统时钟　　5、调用C 库函数_main 初始化用户堆栈，从而最终调用main 函数去到C 的世界　　查找ARM 汇编指令　　在讲解启动代码的时候，会涉...[详细]
EtherCAT FP介绍系列文章—多网段

EtherCAT（Ethernet for Control Automation Technology）是一种基于以太网的开发构架的实时工业现场总线通讯协议，EtherCAT是最快的工业以太网技术之一，同时它提供纳秒级精确同步。相对于设置了相同循环时间的其他总线系统，EtherCAT系统结构通常能减少25%-30%的CPU负载，EtherCAT的出现为系统的实时性能和拓扑的灵活性树立了新的标准。...[详细]
加热板：真空共晶炉的热力中心与材料塑造者

真空共晶炉是一个关键的设备，用于制造和处理各种材料，尤其是在微电子和纳米技术领域。这种设备的核心组件之一就是加热板。在本文中，我们将详细介绍真空共晶炉的加热板，包括其结构，功能，以及在整个真空共晶过程中的作用。首先，我们需要了解什么是加热板。简单来说，加热板是真空共晶炉中的一个重要部分，负责将电能转化为热能，提供足够的热量以满足共晶生长的需求。加热板通常由耐高温的材料制成，如石墨或者特殊的...[详细]
电动汽车的电磁辐射对人体健康有没有危害

电动汽车产生的电磁辐射对人体伤害大？近段时间，围绕电动汽车电磁辐射的问题引发广泛关注，然而，事实上，公众的认知大多是错误的，对电动汽车的电磁辐射缺乏正确的认知。9月30日，中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）副秘书长许艳华接受媒体专访，用真实的测试数据做出科学判断：电动汽车产生的电磁辐射对人体健康没有危害。我们生活的环境中，可以说电磁辐射无所不在，电动汽车也不例外，甚至传统的燃油车也有电...[详细]
动力电池技术是电动汽车发展的核心力量

电动车的动力电池可以说是电动车的重中之重，可以说动力电池就是电动车的心脏！它能够直接影响电动车能够跑多远以及安全性。所以电动车我们既要跑得远又要保证安全！目前市面上常见的动力电池有两种：三元锂电池和磷酸铁锂电池。关于这两种电池，有的人不假思索的就会认定三元锂电池一定优于磷酸铁锂电池，其实并非那么绝对。三元锂电池，① 原理：三元锂电池以镍钴元素为正极材料，石墨为负极材料，以锰盐或铝盐来稳定化...[详细]
专为AI PC应用打造，格科推出高性能图像传感器GC5605

该产品专为AI PC应用打造，具备高分辨率、高动态、超低功耗三大特性，助力AI PC提升视频会议、高清拍摄等应用场景的影像质量；实现智能唤醒、手势控制等更智能的人机交互。 GC5606规格参数 GC5605搭载 GalaxyCell ® 2.0 工艺平台的 1.116μm 像素，针对多种拍摄环境，尤其是暗光场景，显著增强成像细节并有效降低像素暗...[详细]
盖世汽车供应链：透视中国汽车芯片产业

随着智能电动汽车的快速普及，汽车芯片正从辅助控制单元，跃升为支撑整车智能化的“底座”。其应用范围从动力控制、底盘域、智能座舱、辅助驾驶域延展至整车中央计算平台，构建出一个高算力、高安全、高可靠的硬核体系。在全球芯片巨头如英伟达、高通、英飞凌等持续加码的同时，华为、比亚迪、地平线、黑芝麻智能等本土企业正快速崛起，推动国产替代加速落地。伴随整车架构向中央计算与域控制器转型，汽车芯片的产业链格局正被深...[详细]
单片机stm32的5个时钟源的详细分析

　　众所周知STM32有5个时钟源HSI、HSE、LSI、LSE、PLL，其实他只有四个，因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的。　　其中，高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用，图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC。　　内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的，起振较快，所以时钟在芯片刚上...[详细]
自动驾驶汽车如何准确识别小物体？

自动驾驶汽车想要在道路上安全行驶，需要识别的东西远比我们所知道的诸如红绿灯、行人、车辆等复杂得多。其中有一个是我们经常会忽略，但同样非常重要的障碍物，那就是小物体，像是地面上常见的小坑、碎石、塑料袋、纸箱角落、掉落的车载零件，甚至是一只小鸟或小猫，都可能对车辆的行驶安全与乘坐舒适性造成影响。小物体检测听起来“小事儿一桩”，但实际难度会高很多。小物体具有目标体积小、与背景对比弱、遮挡...[详细]
日产将与LiCAP合作研发固态电池技术

据外媒报道，日产汽车近日已与美国电池技术公司LiCAP Technologies达成合作，旨在共同推进下一代电动汽车干法电极生产工艺技术的研发。双方将共同致力于开发全固态电池（ASSB）正极的干法电极生产工艺技术，该技术是推动电动汽车发展的核心组件之一。图片来源：日产此次合作正值日产汽车计划在2028财年前推出搭载自主研发的全固态电池的电动汽车之际，该公司希望通过加强研发活动...[详细]
STM32必学的时钟系统

相较于51单片机，stm32的时钟系统可以说是非常复杂了，我们现在看下面的一张图：上图说明了时钟的走向，是从左至右的从时钟源一步步的分配给外设时钟。需要注意的是，上图左侧一共有四个时钟源，从上到下依次是：高速内部时钟（HSI）：以内部RC振荡器产生，频率为8Mhz,但相较于外部时钟不稳定。高速内部时钟（HSE）：以外部晶振作为时钟源，晶振频率可取范围为4~16Mhz,一般采用8Mhz的...[详细]
芯对话|CBM108S085破局多通道DAC“同步+精度+低功耗”困局

一、多通道DAC技术瓶颈当前，多通道DAC技术的发展主要聚焦于两大核心难题：一方面，工业场景迫切需要‘多通道同步+高精度’的解决方案，而传统分立方案却因复杂度过高而难以满足需求，例如，在多轴机械臂控制中，需要实现8通道的纳秒级同步输出，分立DAC不仅占用大量PCB面积，还难以有效避免通道间的延迟误差；另一方面，便携式设备面临着‘低功耗’与‘高精度’之间的平衡挑战，如手持测量仪、可穿戴医...[详细]
应用案例 | 当机械臂抓取物料时，如何精准拿捏尺度？

随着工业自动化行业的不断发展，可以看到越来越多的智能设备采用灵活、高效、精准的机械臂完成定位抓取、组装等。最常见的是使用机器视觉应用，机器视觉将目标物体的图像信息通过光学设备和传感器获取后，将其转化为数字化信息（坐标位置和角度），并依据控制单元指导，使机器可以有效地执行任务。但这次的任务中，我们选择了更经济的激光位移测距方案来实现机械臂的定位抓取，本期小明就来分享一下具体的应用情况~...[详细]
基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计

在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多