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MT41J128M8BY-125F:B

产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA86, 9 X 15.50 MM, LEAD FREE, FBGA-86
产品类别存储    存储   
文件大小8MB,共181页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT41J128M8BY-125F:B概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA86, 9 X 15.50 MM, LEAD FREE, FBGA-86

MT41J128M8BY-125F:B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA86,9X19,32
针数86
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.225 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)800 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度8
JESD-30 代码R-PBGA-B86
JESD-609代码e1
长度15.5 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量86
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA86,9X19,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度8
最大压摆率0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度9 mm

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1Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Features
DDR3 SDRAM
MT41J256M4 – 32 Meg x 4 x 8 Banks
MT41J128M8 – 16 Meg x 8 x 8 Banks
MT41J64M16 – 8 Meg x 16 x 8 Banks
Features
V
DD
= V
DD
Q = +1.5V ±0.075V
1.5V center-terminated push/pull I/O
Differential bidirectional data strobe
8n-bit prefetch architecture
Differential clock inputs (CK, CK#)
8 internal banks
Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for
data, strobe, and mask signals
CAS (READ) latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, or 11
POSTED CAS ADDITIVE latency (AL): 0, CL - 1, CL - 2
CAS (WRITE) latency (CWL): 5, 6, 7, 8, based on
t
CK
Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4
(via the mode register set [MRS])
Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
Self refresh mode
T
C
of 0
o
C to 95
o
C
64ms, 8,192 cycle refresh at 0
o
C to 85
o
C
32ms at 85
o
C to 95
o
C
Clock frequency range of 300–800 MHz
Self refresh temperature (SRT)
Automatic self refresh (ASR)
Write leveling
Multipurpose register
Output driver calibration
Options
• Configuration
256 Meg x 4
128 Meg x 8
64 Meg x 16
• FBGA package (Pb-free) - x4, x8
78-ball FBGA (8mm x 11.5mm) Rev. F
78-ball FBGA (9mm x 11.5mm) Rev. D
86-ball FBGA (9mm x 15.5mm) Rev. B
• FBGA package (Pb-free) - x16
96-ball FBGA (9mm x 15.5mm) Rev. B
• Timing - cycle time
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
1.25ns @ CL = 10 (DDR3-1600)
1.25ns @ CL = 9 (DDR3-1600)
1.5ns @ CL = 10 (DDR3-1333)
1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
1.5ns @ CL = 8 (DDR3-1333)
1.87ns @ CL = 8 (DDR3-1066)
1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)
2.5ns @ CL = 6 (DDR3-800)
2.5ns @ CL = 5 (DDR3-800)
• Revision
Marking
256M4
128M8
64M16
JP
HX
BY
LA
-125
-125E
-125F
-15
-15E
-15F
-187
-187E
-25
-25E
:B/:D/:F
Table 1:
Key Timing Parameters
Data Rate (MT/s) Target
t
RCD-
t
RP-CL
1600
1600
1600
1333
1333
1333
1066
1066
800
800
11-11-11
10-10-10
9-9-9
10-10-10
9-9-9
8-8-8
8-8-8
7-7-7
6-6-6
5-5-5
t
RCD
Speed Grade
-125
-125E
-125F
-15
-15E
-15F
-187
-187E
-25
-25E
(ns)
t
RP
(ns)
CL (ns)
13.75
12.5
11.25
15
13.5
12
15
13.1
15
12.5
13.75
12.5
11.25
15
13.5
12
15
13.1
15
12.5
13.75
12.5
11.25
15
13.5
12
15
13.1
15
12.5
PDF: 09005aef826aa906/Source: 09005aef82a357c3
1Gb_DDR3_D1 .fm - Rev. F 11/08 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
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