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RD48F4400P0VBQEJ

产品描述Flash, 32MX16, 100ns, PBGA88
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共98页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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RD48F4400P0VBQEJ概述

Flash, 32MX16, 100ns, PBGA88

RD48F4400P0VBQEJ规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间100 ns
启动块BOTTOM/TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B88
JESD-609代码e0
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
部门数/规模8, 510
端子数量88
字数33554432 words
字数代码32000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA88,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)235
电源1.8,1.8/3.3 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
部门规模16K,64K
最大待机电流0.00042 A
最大压摆率0.031 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD SILVER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位NO
类型NOR TYPE

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256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb),
P30-65nm
Features
Micron Parallel NOR Flash Embedded
Memory (P30-65nm)
JS28F256P30B/TFx, RC28F256P30B/TFx, PC28F256P30B/TFx,
RD48F4400P0VBQEx, RC48F4400P0VB0Ex,
PC48F4400P0VB0Ex, PF48F4000P0ZB/TQEx
Features
• High performance
– 100ns initial access for Easy BGA
– 110ns initial access for TSOP
– 25ns 16-word asychronous page read mode
– 52 MHz (Easy BGA) with zero WAIT states and
17ns clock-to-data output synchronous burst
read mode
– 4-, 8-, 16-, and continuous word options for burst
mode
– Buffered enhanced factory programming (BEFP)
at 2 MB/s (TYP) using a 512-word buffer
– 1.8V buffered programming at 1.14 MB/s (TYP)
using a 512-word buffer
• Architecture
– MLC: highest density at lowest cost
– Asymmetrically blocked architecture
– Four 32KB parameter blocks: top or bottom con-
figuration
– 128KB main blocks
– Blank check to verify an erased block
• Voltage and power
– V
CC
(core) voltage: 1.7V to 2.0V
– V
CCQ
(I/O) voltage: 1.7V to 3.6V
– Standy current: 65µA (TYP) for 256Mb
– 52 MHz continuous synchronous read current:
21mA (TYP), 24mA (MAX)
• Security
– One-time programmable register: 64 OTP bits,
programmed with unique information from Mi-
cron; 2112 OTP bits available for customer pro-
gramming
– Absolute write protection: V
PP
= V
SS
– Power-transition erase/program lockout
– Individual zero-latency block locking
– Individual block lock-down
– Password access
• Software
– 25μs (TYP) program suspend
– 25μs (TYP) erase suspend
– Flash Data Integrator optimized
– Basic command set and extended function Inter-
face (EFI) command set compatible
– Common flash interface
• Density and Packaging
– 56-lead TSOP package (256Mb only)
– 64-ball Easy BGA package (256Mb, 512Mb)
– QUAD+ and SCSP packages (256Mb, 512Mb)
– 16-bit wide data bus
• Quality and reliabilty
– JESD47 compliant
– Operating temperature: –40°C to +85°C
– Minimum 100,000 ERASE cycles per block
– 65nm process technology
PDF: 09005aef84566799
p30_65nm_MLC_256Mb-512mb.pdf - Rev. D 9/15 EN
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Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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