K8A6515EBC-SE7B0,K8A6515EBC-SE7B0 pdf中文资料,K8A6515EBC-SE7B0引脚图,K8A6515EBC-SE7B0电路-Datasheet-电子工程世界

K8A6515EBC-SE7B0: 产品描述Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共54页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K8A6515EBC-SE7B0概述

Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	88
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	70 ns
其他特性	BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块	BOTTOM
JESD-30 代码	R-PBGA-B88
长度	11 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	88
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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